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2N5195

更新时间： 2024-11-28 06:18:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	119K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5195 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Base Number Matches：	1

2N5195 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5193 2N5194 2N5195

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2N5190/5191/5192

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·For use in medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-40

-60

-80

-40

-60

-80

-5

UNIT

2N5193

2N5194

2N5195

2N5193

2N5194

2N5195

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-4

Collector current-Peak

Base current

-7

-1

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

3.12

℃/W

12 3

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