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2N5195

更新时间: 2024-11-08 22:45:03
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR

2N5195 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:7.32外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):7
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):40 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHzVCEsat-Max:1.2 V

2N5195 数据手册

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2N5195  
MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR  
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE  
PNP TRANSISTOR  
APPLICATIONS  
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL  
EQUIPMENT  
DESCRIPTION  
The 2N5195 is a silicon epitaxial-base PNP  
transistor in Jedec SOT-32 plastic package.  
1
2
3
It is inteded for use in medium power linear and  
switching applications.  
The complementary NPN type is 2N5192.  
SOT-32  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
Value  
Unit  
-80  
V
V
-80  
-5  
V
-4  
A
ICM  
Collector Peak Current  
-7  
-1  
A
IB  
Base Current  
A
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc 25 oC  
40  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
1/5  
June 1997  

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