是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIP |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.32 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 7 |
JEDEC-95代码: | TO-126 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 40 W |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 2 MHz | VCEsat-Max: | 1.2 V |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTE185 | NTE |
功能相似 |
Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch | |
2N5195G | ONSEMI |
功能相似 |
Silicon PNP Power Transistors | |
2N5194G | ONSEMI |
功能相似 |
Silicon PNP Power Transistors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5195_00 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR | |
2N5195A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 Box | |
2N5195G | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors | |
2N5195LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ | |
2N5196 | VISHAY |
获取价格 |
Monolithic N-Channel JFET Duals | |
2N5196 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET | |
2N5196 | NJSEMI |
获取价格 |
MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS | |
2N5196-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET | |
2N5197 | NJSEMI |
获取价格 |
MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS | |
2N5197 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |