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NTE185 PDF预览

NTE185

更新时间： 2024-10-30 04:36:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch

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NTE185 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：7
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：40 W最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

NTE185 数据手册

 浏览型号NTE185的Datasheet PDF文件第2页 
NTE184 (NPN) & NTE185 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Power Amp, Switch  
Description:  
The NTE184 (NPN) and NTE185 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO126 plastic  
package designed for use in power amplifier and switching circuits.  
Features:  
D Excellent Safe Area Limits  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 0.1A, I = 0, Note 1  
80  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
= 80V, I = 0  
1.0 mA  
0.1 mA  
2.0 mA  
0.1 mA  
1.0 mA  
CEO  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
B
I
V
V
V
V
= 80V, V  
= 1.5V  
–
CEX  
EB(off)  
EB(off)  
= 80V, V  
= 1.5V, T = +150°C  
–
C
I
= 80V, I = 0  
–
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
–
EBO  
C
12

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NTE185 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE184 NTE

类似代替

 Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch
NTE157 NTE

类似代替

 Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, High Voltage Converter (Compl to NTE39)
2N4920G ONSEMI

功能相似

 Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE1850 NTE

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 		Integrated Circuit Vertical Deflection Circuit

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