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NTE185

更新时间： 2024-02-23 23:50:42
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch

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NTE185 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.14
Is Samacsys：N其他特性：MATCHED COMPLIMENTARY PAIR CONTAINS NTE184 AND NTE185
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN AND PNP
功耗环境最大值：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzBase Number Matches：1

NTE185 数据手册

 浏览型号NTE185的Datasheet PDF文件第2页 
NTE184 (NPN) & NTE185 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Power Amp, Switch  
Description:  
The NTE184 (NPN) and NTE185 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO126 plastic  
package designed for use in power amplifier and switching circuits.  
Features:  
D Excellent Safe Area Limits  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 0.1A, I = 0, Note 1  
80  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
= 80V, I = 0  
1.0 mA  
0.1 mA  
2.0 mA  
0.1 mA  
1.0 mA  
CEO  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
B
I
V
V
V
V
= 80V, V  
= 1.5V  
–
CEX  
EB(off)  
EB(off)  
= 80V, V  
= 1.5V, T = +150°C  
–
C
I
= 80V, I = 0  
–
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
–
EBO  
C
12

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