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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI75-140 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| 2MBI75F-060 | FUJI |
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IGBT(600V 75A) |
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| 2MBI75F-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 75A) |
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| 2MBI75J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| 2MBI75J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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| 2MBI75L-060 | FUJI |
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IGBT(600V 75A) |
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| 2MBI75L-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 75A) |
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| 2MBI75N-060 | FUJI |
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IGBT(600V 75A) |
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| 2MBI75N-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 75A) |
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| 2MBI75NB-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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