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2MBI75N-120

更新时间： 2024-11-05 22:18:35

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富士电机 - FUJI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	103K
描述
IGBT(1200V 75A)

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2MBI75N-120 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT
最大降落时间（tf）：	500 ns	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	1200 W	最大功率耗散 (Abs)：	600 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	850 ns
标称接通时间 (ton)：	650 ns	VCEsat-Max：	3.3 V
Base Number Matches：	1

2MBI75N-120 数据手册

IGBT MODULE ( N series )

n Outline Drawing

n Features

• Square RBSOA

• Low Saturation Voltage

• Less Total Power Dissipation

• Improved FWD Characteristic

• Minimized Internal Stray Inductance

• Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)

n Applications

• High Power Switching

• A.C. Motor Controls

• D.C. Motor Controls

• Uninterruptible Power Supply

n Maximum Ratings and Characteristics

n Equivalent Circuit

• Absolute Maximum Ratings ( T_c=25°C)

Items

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

Symbols

Ratings

1200

± 20

150

Units

V_CES

V_GES

Continuous

1ms

Continuous

1ms

I_C

Collector

Current

I_{C PULSE}

-I_C

-I_{C PULSE}

150

Max. Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

P_C

T_j

T_stg

V_is

Mounting *1

Terminals *2

600

°C

+150

-40 ~ +125

2500

3.5

A.C. 1min.

Screw Torque

3.5

Note: *1:Recommendable Value; 2.5 ~ 3.5 Nm (M5)

• Electrical Characteristics ( at T_j=25°C )

Items

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leackage Current

Gate-Emitter Threshold Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Input capacitance

Symbols

I_CES

I_GES

V_GE(th)

V_CE(sat)

C_ies

C_oes

C_res

t_ON

t_r

t_OFF

t_f

V_F

t_rr

Test Conditions

V_GE=0V V_CE=1200V

V_CE=0V V_GE=± 20V

V_GE=20V I_C=75mA

V_GE=15V I_C=75A

V_GE=0V

V_CE=10V

f=1MHz

V_CC=600V

I_C=75A

Min.

Typ.

Max.

1.0

7.5

3.3

Units

µA

4.5

12000

4350

3870

0.65

0.25

0.85

Output capacitance

Reverse Transfer capacitance

1.2

0.6

1.5

0.5

3.0

350

Turn-on Time

Turn-off Time

µs

V_GE=± 15V

R_G=16W

I_F=75A V_GE=0V

I_F=75A

0.35

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

• Thermal Characteristics

Items

Symbols

R_th(j-c)

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

0.21

0.47

Units

IGBT

Diode

Thermal Resistance

°C/W

R_th(c-f)

With Thermal Compound

0.05

12 3 4

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