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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1200 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 850 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 650 ns | VCEsat-Max： | 3.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI75NB-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| 2MBI75P-140 | FUJI |
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IGBT(1400V 75A) |
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| 2MBI75P-140_04 | FUJI |
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IGBT Module |
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| 2MBI75S | FUJI |
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IGBT MODULE ( S-Series ) 2-Pack IGBT 1200V 2X75A |
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| 2MBI75S-120 | FUJI |
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IGBTs |
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| 2MBI75S-120_10 | FUJI |
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IGBT MODULE |
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| 2MBI75U4A-120 | FUJI |
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Recommendable Value : 2.5 to 3.5 Nm (M5) 武汉科琪 |
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| 2MBI75UA-120 | ETC |
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DUAL IGBT |
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| 2MBI75VA-120-50 | FUJI |
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IGBT MODULE (V series) 1200V / 75A / 2 in one package |
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| 2MBI75VA-170-50 | FUJI |
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2-Pack(2 in 1) M263 |
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