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2MBI75-140

更新时间: 2024-11-18 20:58:15
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富士电机 - FUJI
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

2MBI75-140 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
Base Number Matches:1

2MBI75-140 数据手册

  
パワーデバイス / Power Devices (IGBT)  
■ IGBTモュール PズꢀIGBT Modules, P series  
1200V, 1400Vラス 高速スング, 低形  
1200, 1400 volts class/High speed switching and low noise  
VCES  
VGES  
IC  
PC  
VCE(satVGE=15V)  
スイッチングタイム Switching time Max.  
パッケージ  
質 量  
Device type  
Cont.  
Amps.  
Max.  
Volts  
IC  
ton  
toff  
tf  
Package Net mass  
Grams  
Volts  
1400  
1400  
Volts  
±20  
±20  
±20  
±20  
±20  
±20  
±20  
±20  
Watts  
400  
Amps.  
μsec.  
μsec.  
μsec.  
2MBI50P-140  
2MBI75P-140  
50  
75  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.2  
3.2  
50  
75  
1.2  
1.2  
1.2  
1.2  
1.2  
1.2  
1.2  
1.2  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
M232  
M232  
M233  
M233  
M235  
M238  
M138  
M138  
180  
180  
240  
240  
370  
470  
530  
530  
600  
2MBI100PC-140 1400  
2MBI150PC-140 1400  
2MBI200PB-140 1400  
100  
150  
200  
300  
600  
600  
780  
100  
150  
200  
300  
600  
600  
1100  
1500  
2500  
4100  
4100  
2MBI300P-140  
1400  
1MBI600PX-120 1200  
1MBI600PX-140 1400  
■ IGBTモュール GズꢀIGBT Modules, G series  
6個組小型シングルラッケーꢀ  
6-in one-package (Compact single in-line package)  
VCES  
VGES  
IC  
PC  
VCE(satVGE=15V)  
スイッチングタイム Switching time Max.  
パッケージ  
質 量  
Device type  
Cont.  
Amps.  
Max.  
Volts  
IC  
ton  
toff  
tf  
Package Net mass  
Grams  
Volts  
600  
600  
600  
Volts  
±20  
Watts  
45  
Amps.  
μsec.  
μsec.  
μsec.  
6MBI10GS-060  
6MBI15GS-060  
6MBI20GS-060  
10  
15  
20  
2.8  
2.8  
2.8  
10  
15  
20  
1.2  
1.2  
1.2  
1.0  
1.0  
1.0  
0.35  
0.35  
0.35  
M619  
M619  
M619  
60  
60  
60  
±20  
±20  
60  
70  
■ IGBTモュール NズꢀIGBT Modules, N series  
パー用 IGBTモジュール  
IGBT modules for DC chopper  
VCES  
VGES  
IC  
PC  
VCE(satVGE=15V)  
スイッチングタイム Switching time Max.  
パッケージ  
質 量  
Device type  
Cont.  
Amps.  
Max.  
Volts  
IC  
ton  
toff  
tf  
Package Net mass  
Grams  
Volts  
600  
600  
600  
600  
Volts  
±20  
Watts  
300  
Amps.  
μsec.  
μsec.  
μsec.  
1MBI150NH-060  
1MBI150NK-060  
1MBI200NH-060  
1MBI200NK-060  
150  
150  
200  
200  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
150  
150  
200  
200  
1.2  
1.2  
1.2  
1.2  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.35  
0.35  
0.35  
0.35  
M232  
M232  
M233  
M233  
180  
180  
240  
240  
±20  
300  
±20  
780  
±20  
780  
ブレーキ部内蔵 7個組ꢀNズ  
7 in one-package/Built-in brakeꢀN series  
インバータ部 Inverter[IGBT]  
ブレーキ部 BrakeIGBT+FWD] コンバータ部 Converter[Diode] パッケージ 質 量  
Device type  
VCES  
IC  
PC  
VCE(sat) VCES  
IC  
VRRM  
VRRM  
IO  
VFM  
IFSM  
Package Net mass  
Cont.  
Max.  
Cont.  
Amps.  
Cont.  
Max.  
Grams  
Volts  
Amps. Watts Volts  
Volts  
600  
Volts  
600  
Volts  
Amps. Watts Volts  
7MBI75N-060  
600  
75  
100  
40  
320  
400  
320  
400  
2.8  
2.8  
3.3  
3.3  
50  
50  
15  
25  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
P607  
P607  
P607  
P607  
450  
450  
450  
450  
7MBI100N-060 600  
7MBI40N-120 1200  
7MBI50N-120 1200  
600  
600  
1200  
1200  
1200  
1200  
50  
19  

与2MBI75-140相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI75F-060 FUJI

获取价格

IGBT(600V 75A)
2MBI75F-120 FUJI

获取价格

IGBT(1200V 75A)
2MBI75J060 ETC

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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
2MBI75J120 ETC

获取价格

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C)
2MBI75L-060 FUJI

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IGBT(600V 75A)
2MBI75L-120 FUJI

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IGBT(1200V 75A)
2MBI75N-060 FUJI

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IGBT(600V 75A)
2MBI75N-120 FUJI

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IGBT(1200V 75A)
2MBI75NB-060 FUJI

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
2MBI75P-140 FUJI

获取价格

IGBT(1400V 75A)