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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1200 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 3.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI75N-060 | FUJI |
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IGBT(600V 75A) |
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| 2MBI75N-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 75A) |
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| 2MBI75NB-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| 2MBI75P-140 | FUJI |
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IGBT(1400V 75A) |
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| 2MBI75P-140_04 | FUJI |
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IGBT Module |
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| 2MBI75S | FUJI |
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IGBT MODULE ( S-Series ) 2-Pack IGBT 1200V 2X75A |
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| 2MBI75S-120 | FUJI |
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IGBTs |
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| 2MBI75S-120_10 | FUJI |
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IGBT MODULE |
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| 2MBI75U4A-120 | FUJI |
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Recommendable Value : 2.5 to 3.5 Nm (M5) 武汉科琪 |
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| 2MBI75UA-120 | ETC |
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DUAL IGBT |
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