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2MBI75P-140_04

更新时间： 2024-11-18 07:28:07
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富士电机 - FUJI 双极性晶体管
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描述
IGBT Module

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2MBI75P-140_04 数据手册

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2MBI75P-140  
IGBT Module P-Series  
1400V / 75A 2 in one-package  
Features  
· Small temperature dependence of the turn-off switching loss  
· Easy to connect in parallel  
· Wide RBSOA (square up to 2 time of rated current) and high short-  
circuit withstand capability  
Equivalent Circuit Schematic  
· Low loss and soft-switching (reduction of EMI noise)  
Applications  
· General purpose inverter  
E2  
C1  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
C2E1  
G2 E2  
G1 E1  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Conditions  
Rating  
1400  
Unit  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
V
V
A
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector current  
±20  
100  
Continuous  
1ms  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
75  
200  
ICp  
150  
75  
-IC  
150  
-IC pulse  
PC  
1 device  
AC:1min.  
600  
W
°C  
Collector Power Dissipation  
+150  
-40 to +125  
2500  
3.5  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature  
Tstg  
VAC  
N·m  
Isolation voltage between terminal and copper base *1  
Viso  
Screw Torque  
Mounting *2  
Terminals *2  
3.5  
*1 : All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
*2 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m(M5)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbols Conditions  
Characteristics  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
VGE=0V, VCE=1400V  
mA  
nA  
V
ICES  
–
–
1.0  
200  
9.0  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=75mA  
VGE=15V, IC=75A, Tj=25°C  
VGE=15V, IC=75A, Tj=125°C  
VCE=10V  
IGES  
–
–
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
VGE(th)  
VCE(sat)  
6.0  
–
8.0  
2.7  
3.3  
V
3.0  
–
–
Input capacitance  
pF  
µs  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
–
7500  
–
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
VGE=0V  
–
1000  
–
f=1MHz  
–
500  
–
–
VCC=600V  
–
1.20  
0.60  
1.00  
0.30  
3.3  
0.35  
IC=75A  
tr  
–
–
Turn-off time  
VGE=±15V  
toff  
–
–
RG=16 Ω  
tf  
–
–
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
IF=75A, VGE=0V  
IF=75A  
V
VF  
trr  
–
2.4  
µs  
–
–
Thermal resistance characteristics  
Items  
Thermal resistance  
Contact Thermal resistance  
Symbols  
Conditions  
Characteristics  
Min. Typ.  
Unit  
Max.  
–
–
–
–
0.21  
0.47  
–
IGBT  
Rth(j-c)  
°C/W  
–
Diode  
Rth(j-c)  
°C/W  
°C/W  
0.05  
the base to cooling fin  
Rth(c-f)*4  
*4 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1234

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