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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI800U4G-120
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2MBI800U4G-120

更新时间： 2024-11-18 12:21:47
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 615K
描述
IGBT MODULE (U series) 1200V / 800A / 2 in one package

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2MBI800U4G-120 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
针数：10Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：800 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X10元件数量：2
端子数量：10最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：4800 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1450 ns
标称接通时间 (ton)：3100 nsVCEsat-Max：2.29 V
Base Number Matches：1

2MBI800U4G-120 数据手册

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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
IGBT Modules  
2MBI800U4G-120  
IGBT MODULE (U series)  
1200V / 800A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
V
Collector-Emitter voltage  
VCES  
1200  
Gate-Emitter voltage  
VGES  
±20  
V
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
1200  
800  
2400  
1600  
800  
Ic  
Continuous  
1ms  
Collector current  
Ic pulse  
A
-Ic  
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
1ms  
1 device  
1600  
4800  
150  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage Between terminal and copper base (*1)  
Mounting (*2)  
W
°C  
Tstg  
-40 ~ +125  
4000  
5.75  
Viso  
AC : 1min.  
VAC  
M6  
M8  
M4  
Screw torque  
10  
2.5  
N m  
Terminals (*3)  
Note *1: All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
Note *2: Recommendable Value : Mounting 4.25~5.75 Nm (M6)  
Note *3: Recommendable Value : Main Terminals 8~10 Nm (M8)  
Sense Terminals 1.7~2.5 Nm (M4)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
-
-
1.0  
mA  
nA  
V
-
1600  
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 800mA  
5.5  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5  
7.5  
VCE (sat)  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
2.12  
2.32  
1.90  
2.10  
90  
2.29  
(main terminal)  
-
V
I
GE = 15V  
= 800A  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
C
2.05  
VCE (sat)  
(chip)  
Cies  
ton  
tr  
toff  
tf  
-
-
-
-
-
-
Input capacitance  
Turn-on  
VCE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
nF  
µs  
1.35  
0.65  
0.80  
0.20  
1.87  
1.97  
1.65  
1.75  
0.45  
0.27  
V
CC = 600V  
= 800A  
RGon = 5.6Ω  
Goff = 1.5Ω  
I
C
R
VGE = ±15V  
Turn-off  
Tj = 125ºC  
V
F
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
2.04  
(main terminal)  
-
V
I
GE = 0V  
= 800A  
Forward on voltage  
V
F
1.80  
VF  
(chip)  
trr  
R lead  
-
-
-
Reverse recovery  
Lead resistance, terminal-chip  
IF  
= 800A  
µs  
mΩ  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Characteristics  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
IGBT  
FWD  
-
-
-
-
-
0.026  
0.045  
-
Thermal resistance (1device)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)  
°C/W  
Contact thermal resistance (1device)  
with Thermal Compound (*4)  
0.006  
Note *4: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
123456

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