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2MBI75NB-060

更新时间: 2024-11-18 20:54:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 453K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

2MBI75NB-060 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):75 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUITJESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):800 ns
标称接通时间 (ton):800 nsBase Number Matches:1

2MBI75NB-060 数据手册

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