5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI75F-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V 75A) |
|
| 2MBI75J060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
|
| 2MBI75J120 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
|
| 2MBI75L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V 75A) |
|
| 2MBI75L-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V 75A) |
|
| 2MBI75N-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V 75A) |
|
| 2MBI75N-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V 75A) |
|
| 2MBI75NB-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| 2MBI75P-140 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1400V 75A) |
|
| 2MBI75P-140_04 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
