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1SS337TE85R

更新时间： 2024-01-16 17:29:17
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 257K
描述
DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS337TE85R 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.69
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：6 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.02 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS337TE85R 数据手册

 浏览型号1SS337TE85R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS337TE85R的Datasheet PDF文件第3页 
1SS337  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS337  
Ultra High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
z Small package: SC-59  
z Low forward voltage: V  
= 0.88 V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 6 ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance: C = 1.6 pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
Power dissipation  
I
600 *  
200 *  
6 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
150  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
150  
JEDEC  
TO-236MOD  
Storage temperature  
T
−55 to 150  
stg  
JEITA  
SC-59  
TOSHIBA  
1-3G1F  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*: Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 10 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.66  
0.80  
0.88  
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 100 mA  
= 200 mA  
―
―
1.20  
0.25  
0.50  
I
I
―
V
V
= 30 V  
= 80 V  
R
R
Reverse current  
μA  
―
―
Total capacitance  
C
―
―
V
= 0, f = 1 MHz  
―
―
1.6  
6
―
T
R
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
I
= 30 mA, Fig.1  
F
20  
rr  
1
2008-11-11  
123

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与1SS337TE85R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS337TE85R2 TOSHIBA

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 		DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS344 KEXIN

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 		ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS344 TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS344 HTSEMI

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS344 TYSEMI

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 		Low forward voltage: VF(3) = 0.50V(Typ). Fast reverse recovery time: trr = 20ns(Typ).
1SS344 LGE

获取价格

 		Surface Mount Schottky Planar Diode
1SS344 WON-TOP

获取价格

 		SMD
1SS344 CJ

获取价格

 		SOT-23
1SS344(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS344_07 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Application

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