Datasheet > 1SS344

1SS344

更新时间： 2024-02-17 17:42:22

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	58K
描述
Low forward voltage: VF(3) = 0.50V(Typ). Fast reverse recovery time: trr = 20ns(Typ).

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1SS344 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	5 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	25 V
最大反向电流：	100 µA	最大反向恢复时间：	0.02 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS344 数据手册

Product specification

1SS344

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Low forward voltage: V^F(3)= 0.50V(Typ).

Fast reverse recovery time: t^rr= 20ns(Typ).

High average forward current: I^O= 0.5A(Max).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Maximum(Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

Symbol

V^RM

V^R

Rating

Unit

Maximum(Peak) Forward Current

Average Rectified Current

Surge Current (10 ms)

I^FM

1500

I^O

500

I^FSM

Power Dissipation

200

Junction Temperature

T^j

125

Storage Temperature Range

Poerating Temperature

T^stg

T^opr

-55 to +125

-40 to +100

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

0.30

0.38

0.50

Max

Unit

I^F= 10 mA

I^F= 100 mA

I^F= 500 mA

V^R= 30 V

Continuous reverse voltage

V^F

0.55

I^R

C^t

t^rr

Reverse current

V^R= 80 V

100

capacitance

V^R= 0, f = 1.0 MHz

I^F= 30 mA

120

Reverse recovery time

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

中文翻译

下载PDF

与1SS344相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1SS344(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Rectifier Diode
1SS344_07	TOSHIBA	获取价格	Ultra High Speed Switching Application
1SS344-T1	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 20V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
1SS344TE85L	TOSHIBA	获取价格	DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS344TE85L2	TOSHIBA	获取价格	DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS344TE85R	TOSHIBA	获取价格	DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS345	KEXIN	获取价格	Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
1SS345	SANYO	获取价格	UHF Detector, Mixer Applications
1SS345	TYSEMI	获取价格	Small interterminal capacitance (C=0.45pF typ). High breakdown voltage (VR=55V).
1SS348	TYSEMI	获取价格	Small package Low forward voltage: VF(3) = 0.56V(Typ). Low voltage current: :IR = 5A(Max).