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1SS350

更新时间： 2024-02-29 11:10:11

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科信 - KEXIN		肖特基二极管
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描述
Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode

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1SS350 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.75
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.03 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS350 数据手册

SMD Type

Diodes

Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode

1SS350

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Small interterminal capacitance (C=0.69pF typ).

Low forward voltage (VF=0.23V max).

High breakdown voltage (VR=55V).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

Very small-sized package permitting the 1SS350-applied sets to be made small and slim.

1.Base

2.Emitter

3.collector

A b s o lu te M a x im u m R a tin g s T a = 2 5

P a ra m e te r

R e v e rs e V o lta g e

S y m b o l

V a lu e

U n it

V ^R

I^F

3 0

F o rw a rd C u rre n t

m A

J u n c tio n T e m p e ra tu re

S to ra g e te m p e ra tu re

T ^j

1 2 5

T s tg

-5 5 to + 1 2 5

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Forward Voltage

Symbol

Conditions

IF = 1 mA

Min

Typ

Max

0.23

Unit

I^F

Forward Current

VF = 0.5 V

Reverse Current

I^R

VR = 0.5 V

Interterminal Capacitance

V^R= 0.2 V, f = 1 MHz

0.69

0.9

Marking

www.kexin.com.cn

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