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1SS349

更新时间： 2024-01-02 17:07:40

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TYSEMI		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	64K
描述
Small package Low forward voltage: VF3 = 0.49V(Typ). Low voltage current: :IR = 50A(Max).

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1SS349 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	25 V
最大反向电流：	50 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS349 数据手册

Product specification

1SS349

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Small package

Low forward voltage: V^F3= 0.49V(Typ).

Low voltage current: :I^R= 50 A(Max).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Maximum(Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

Symbol

V^RM

V^R

Rating

Unit

Average Rectified Current

Maximum(Peak) Forward Current

Power Dissipation

I^O

1000

3000

200

I^FM

Junction Temperature

T^j

125

Storage Temperature Range

Poerating Temperature

T^stg

T^opr

-55 to +125

-40 to +100

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Test Conditions

I^F= 100mA

I^F500mA

Min

Typ

Max

Unit

0.34

0.42

0.49

voltage

V^F

Forward

0.55

I^F1000mA

20V

Reverse current

I^R

V^R

V^R= 0, f = 1.0 MHz

Total capacitance

C^T

250

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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