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1SS348TE85R2

更新时间： 2024-01-14 05:12:42
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 183K
描述
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS348TE85R2 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.71
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大反向电流：5 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS348TE85R2 数据手册

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1SS348  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS348  
Low Voltage High Speed Switching  
Unit: mm  
z Low forward voltage  
z Low reverse current  
z Small package  
: V  
= 0.56V (typ.)  
F (3)  
: I = 5μA (max)  
R
: SC-59  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Power dissipation  
I
300  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
100  
O
P
200  
Junction temperature  
T
j
125  
Storage temperature  
T
−55~125  
−40~100  
°C  
stg  
opr  
Operating Temperature  
T
°C  
JEDEC  
TD-236MOD  
JEITA  
SC-59  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
TOSHIBA  
1-3G1B  
Weight: 0.012g (typ.)  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.26  
0.34  
0.56  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10mA  
―
= 100mA  
0.70  
5
Reverse current  
I
―
V
V
= 80V  
μA  
R
R
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MHz  
45  
100  
pF  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS348TE85R2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS349 KEXIN

获取价格

 		LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS349 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS349 TYSEMI

获取价格

 		Small package Low forward voltage: VF3 = 0.49V(Typ). Low voltage current: :IR = 50A(Max).
1SS349_07 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Application
1SS349TE85L2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS349TE85R TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS349TE85R2 TOSHIBA

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 		DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS350 KEXIN

获取价格

 		Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
1SS350 SANYO

获取价格

 		UHF Detector, Mixer Applications
1SS350 TYSEMI

获取价格

 		Small interterminal capacitance (C=0.69pF typ). Low forward voltage (VF=0.23V max).

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