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1SS352(TH3SAN,F)

更新时间： 2024-11-11 14:39:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 337K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon

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1SS352(TH3SAN,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.64
应用：FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：80 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS352(TH3SAN,F) 数据手册

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1SS352  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS352  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit: mm  
AEC-Q101 Qualified (Note1)  
Small package  
Low forward voltage  
: V = 0.98V (typ.)  
F (3)  
Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
Small total capacitance  
: C = 0.5pF (typ.)  
T
Note1: For detail information, please contact to our sales.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P
200 (*)  
125  
mW  
°C  
°C  
JEDEC  
―
―
Junction temperature  
T
j
JEITA  
Storage temperature  
T
−55 to 125  
stg  
TOSHIBA  
1-1E1A  
Weight: 0.004g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
(*): Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm, pad dimension of 4 × 4mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.62  
0.75  
0.98  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10mA  
―
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
―
V
V
V
= 30V  
R
R
R
μA  
Reverse current  
―
= 80V  
―
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MH  
0.5  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
―
I = 10mA, Fig.1  
F
rr  
Start of commercial production  
1989-10  
1
2015-01-09  
123

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与1SS352(TH3SAN,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS352(TPH3,F) TOSHIBA

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 		DIODE 0.1 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE, USC, 1-1E1A, 2 PIN, Signal Diode
1SS352,H3F(T TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS352_07 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Application
1SS352A(TPH3,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
1SS352-AH SWST

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 		小信号开关二极管
1SS352-BL SWST

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 		小信号开关二极管
1SS352TPH2 TOSHIBA

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1SS352TPH3 TOSHIBA

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1SS352TPH4 TOSHIBA

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 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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