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1SS352

更新时间： 2024-02-17 03:36:30

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商升特 - SEMTECH		二极管测试光电二极管局域网快速恢复二极管
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描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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1SS352 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向电流：	0.5 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
反向测试电压：	80 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS352 数据手册

1SS352

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Features

PINNING

• Low forward voltage

• Fast Reverse Recovery Time

• Small Total Capacitance

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Marking Code: "W2"

Application

Simplified outline SOD-323 and symbol

• Ultra high speed switching

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

Average Forward Current

Maximum (Peak) Forward Current

Surge Forward Current (10 ms)

Power Dissipation

I_O

100

I_FM

I_FSM

P_tot

T_j

200

Junction Temperature

125

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 125

Characteristics at T_a= 25 C

Symbol

V_F

Parameter

Max.

1.2

Unit

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

Reverse Current

at V_R= 30 V

at V_R= 80 V

I_R

0.1

0.5

µA

Total Capacitance

at f = 1 MHz

C_T

t_rr

Reverse Recovery Time

at I_F= 10 mA

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 07/04/2009

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