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1SS349TE85R

更新时间： 2024-02-14 12:09:26
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 207K
描述
DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS349TE85R 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大反向电流：50 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS349TE85R 数据手册

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1SS349  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Planar Type  
1SS349  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit: mm  
z Low forward voltage  
z Low reverse current  
z Small package  
: V  
= 0.49V (typ.)  
F (3)  
: I = 50μA (max)  
R
: SC−59  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
25  
20  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Power dissipation  
I
3000  
1000  
200  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
O
P
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature  
T
−55∼125  
−40∼100  
°C  
stg  
opr  
JEDEC  
TD−236MOD  
Operating Temperature  
T
°C  
JEITA  
SC−59  
1−3G1B  
TOSHIBA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 100mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
I
0.34  
0.42  
0.49  
―
―
―
―
―
―
―
―
―
F (1)  
F
F
F
Forward voltage  
V
= 500mA  
= 1000mA  
= 20V  
―
F (2)  
V
0.55  
50  
―
F (3)  
Reverse current  
I
V
V
μA  
―
R (1)  
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MHz  
250  
―
pF  
―
R
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS349TE85R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS349TE85R2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS350 KEXIN

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 		Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
1SS350 SANYO

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 		UHF Detector, Mixer Applications
1SS350 TYSEMI

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1SS351 ONSEMI

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1SS351 TYSEMI

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