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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.5 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.55 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 25 V |
| 最大反向电流： | 50 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS349_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultra High Speed Switching Application |
|
| 1SS349TE85L2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1SS349TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| 1SS349TE85R2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 1SS350 | KEXIN |
获取价格 |
Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode |
|
| 1SS350 | SANYO |
获取价格 |
UHF Detector, Mixer Applications |
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| 1SS350 | TYSEMI |
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Small interterminal capacitance (C=0.69pF typ). Low forward voltage (VF=0.23V max). |
|
| 1SS351 | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Dual Series Schottky Barrier Diode for Mixer and Detector 5V, 30mA, |
|
| 1SS351 | TYSEMI |
获取价格 |
Series connection of 2 elements in a small-sized package facilitates Small forward voltage |
|
| 1SS351 | KEXIN |
获取价格 |
Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode |
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