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1SS344

更新时间： 2024-01-08 12:02:23

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金誉半导体 - HTSEMI		肖特基二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1SS344 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	5 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	25 V
最大反向电流：	100 µA	最大反向恢复时间：	0.02 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS344 数据手册

1SS344

SOT-23

SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES

 Low Forward Voltage

 Fast Reverse Recovery Time

 High Forward Current

APPLICATIONS

 High Speed Switching

MARKING: H9

MAXIMUM RATINGS ( T_a=25℃ unless otherwise noted )

Symbol

Parameter

Value

Unit

DC Blocking Voltage

V_R

Forward Continuous Current

Peak Forward Current

500

I_O

1.5

I_FM

Surge Current@10ms

I_FSM

P_D

Power Dissipation

200

℃/W

℃

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

500

R_θJA

T_j

125

Storage Temperature

-55~+150

T_stg

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)

I_R=100μA

V_R=10V

Reverse voltage

I_R

μA

Reverse current

Forward voltage

V_R=20V

100

0.35

0.43

0.55

I_F=10mA

I_F=100mA

I_F=500mA

V_F

C_tot

t_rr

V_R=0V, f=1MHz

120

Total capacitance

I_F= I_R=50mA, V_R=6V

Reverse recovery time

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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