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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | MELF-A, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 0.98 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | E-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 35 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 2.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N5806US | SEMTECH |
类似代替  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5806USE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
|
| 1N5807 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
|
| 1N5807 | EIC |
获取价格 |
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
|
| 1N5807 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL / MELF HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
|
| 1N5807 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP |
|
| 1N5807 | SEMTECH |
获取价格 |
RECTIFIER, up to 150V, 6A, 30ns |
|
| 1N5807_10 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL / MELF HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
|
| 1N5807_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5807CB | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5807CBUS | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
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