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1N5808X

更新时间: 2024-01-23 06:26:11
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon,

1N5808X 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.875 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:125 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:6 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.03 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N5808X 数据手册

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