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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 125 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5809S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
|
| 1N5809U4 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| 1N5809URS | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5809US | EIC |
获取价格 |
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
|
| 1N5809US | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL / MELF HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
|
| 1N5809US | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY- SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 1N5809US | SEMTECH |
获取价格 |
Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US) |
|
| 1N5809US | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 100V 6A 2-Pin SMD |
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| 1N5809USS | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
|
| 1N5809USS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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