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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| 其他特性： | HIGH SURGE CAPABILITY | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V | JESD-30 代码： | O-MELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5809USS | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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| 1N5809USS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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| 1N5810 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| 1N5810 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 8A 2-Pin GPR-4AM |
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| 1N5810R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
|
| 1N5810US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 125V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5810X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| 1N5811 | EIC |
获取价格 |
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
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| 1N5811 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER - VERY FAST SWITCHING |
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| 1N5811 | SEMTECH |
获取价格 |
RECTIFIER, up to 150V, 6A, 30ns |
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