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1N5811US

更新时间： 2024-11-07 06:18:07
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 整流二极管快恢复二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
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2页 110K
描述
Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US)

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1N5811US 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：21 weeks
风险等级：0.64Is Samacsys：N
应用：SUPER FAST SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.875 V
JESD-30 代码：O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

1N5811US 数据手册

 浏览型号1N5811US的Datasheet PDF文件第2页 
1N5807US/1N5809US/1N5811US  
Superfast Recovery Diodes  
Surface Mount (US)  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
‹ Very low reverse recovery time  
‹ Hermetically sealed non-cavity construction  
‹ Soft, non-snap, off recovery characteristics  
‹ Very low forward voltage drop  
VR 50 -150 V  
IF 1N5807US to 1N5811US = 6A  
trr 1N5807US to 1N5811US = 30nS  
IR 1N5807US to 1N5811US = 5µA  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/477  
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.  
They can be supplied fully released as JANTX and  
JANTXV versions.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Symbol  
VRWM  
VRRM  
1N5807US  
1N5809US  
1N5811US  
Units  
Working Reverse Voltage  
Repetitive Reverse Voltage  
50  
50  
100  
100  
150  
150  
V
V
Average Forward Current  
IF(AV)  
6.0  
25  
A
A
(@ 75°C lead length = 0.375')  
Repetitive Surge Current  
IFRM  
(@ 55°C in free air lead length = 0.375')  
Non-Repetitive Surge Current  
IFSM  
125  
A
(tp = 8.3mS @ Vr & TJMAX  
)
Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +175  
°C  
Average Forward Current Max  
(pcb mounted: TA = 55°C)  
Sine wave  
IF(AV)  
IF(AV)  
I2t  
1.7  
1.8  
A
A2S  
V
Square wave (d = 0.5)  
I2t for fusing (t = 8.3mS) max  
32  
Forward Voltage Drop max  
@ TJ = 25°C  
VF  
0.875 @ 4A  
Reverse Current max  
@ V , T = 25°C  
@ VWWRRMM, TJJ= 100°C  
I
5.0  
IRR  
150  
µA  
Reverse Recovery Time max  
(1.0A IF to 1.0A IRM recover to 0.25A IRM(REC)  
)
trr  
CJ  
30  
60  
nS  
pF  
Junction Capacitance typ  
@ VR = 5V f = 1MHz  
Thermal Resistance to end cap  
RθJEC  
6.5  
°C/W  
Revision: May 26, 2006  
1
www.semtech.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5811X MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon,
1N5811XD-T39L SEME-LAB

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 		DUAL COMMON CATHODE
1N5812 MCC

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 		20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
1N5812 MICROSEMI

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1N5812 NJSEMI

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1N5812 SENSITRON

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 		DESCRIPTION: 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE.
1N5812_10 MICROSEMI

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 		HIGH RELIABILITY ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
1N5812-BP MCC

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 		Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
1N5812HCEE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DIE-1

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