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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SURGE CAPABILITY |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | O-MELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 125 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 6 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5811X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
|
| 1N5811XD-T39L | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL COMMON CATHODE |
|
| 1N5812 | MCC |
获取价格 |
20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts |
|
| 1N5812 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS |
|
| 1N5812 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 50V 20A 2-Pin DO-4 |
|
| 1N5812_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH RELIABILITY ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER |
|
| 1N5812-BP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| 1N5812HCE | ETC |
获取价格 |
Ultra Fast Rectifier (less than 100ns) |
|
| 1N5812HCEE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DIE-1 |
|
| 1N5812KCE | ETC |
获取价格 |
Ultra Fast Rectifier (less than 100ns) |
|
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