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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | SUPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.925 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 125 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5810 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
|
| 1N5810 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 8A 2-Pin GPR-4AM |
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| 1N5810R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| 1N5810US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 125V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5810X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
|
| 1N5811 | EIC |
获取价格 |
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
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| 1N5811 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER - VERY FAST SWITCHING |
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| 1N5811 | SEMTECH |
获取价格 |
RECTIFIER, up to 150V, 6A, 30ns |
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| 1N5811 | GULFSEMI |
获取价格 |
SINTERED GLASS JUNCTION FAST AVALANCHE RECTIF |
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| 1N5811 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
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