1N5807US

更新时间： 2024-01-04 22:03:13

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ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

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1N5807US 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.03 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

1N5807US 数据手册

Certificate : TH97/10561QM

Certificate : TW00/17276EM

ULTRAFAST RECOVERY

RECTIFIER DIODES

1N5807US - 1N5811US

PRV : 50 - 150 Volts

Io : 6.0 Amperes

SMB (DO-214AA)

1.1 ± 0.3

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.22 ± 0.07

2.0 ± 0.1

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ultrafast recovery time

* Pb / RoHS Free

2.3 ± 0.2

3.6 ± 0.15

MECHANICAL DATA :

* Case : SMB Molded plastic

Dimensions in millimeters

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.1079 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

RATING

1N5807US 1N5809US 1N5811US

SYMBOL

V_RWM

UNIT

Maximum Working Peak Reverse Voltage

Minimum Breakdown Voltage @ 100µA

Maximum Average Forward Current

100

110

150

160

V_BR(Min)

6.0 ⁽¹⁾

3.0 ⁽²⁾

I_F(AV)

Maximum Forward Surge Current ⁽³⁾

I_FSM

V_F

125

Maximum Peak Forward Voltage at I_F= 4.0 A.

0.875

5.0

Maximum Reverse Current at V_RWM

I_R

Ta = 25 °C

μA

I_R(H)

Trr

Ta = 100 °C

150

Maximum Reverse Recovery Time ⁽⁴⁾

Thermal Resistance, Junction to Lead

Junction Temperature Range

°C/W

°C

R_ӨJL

T_J

- 65 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Notes :

(1) Rated at T_L=75 °C at 3/8 inc lead length. Derate at 60 mA/°C for T_Labove 75 °C.

(2) Derate linearly at 25 mA/°C above Ta = 55 °C. This rating is typical for PC boards where thermal resistance from mounting

point to ambient is sufficiently controlled where T_J(max)dose not exceed 175 °C.

(3) Ta = 25 °C @ I_F(AV)= 3A and V_RWMfor ten 8.3 ms surges at 1 minute intervals.

(4) I_F= 1A, I_RM= 1A, I_R(REC)= 0.1 A and di/dt = 10 A/μs min.

Page 1 of 2

Rev. 00 : April 4, 2007

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5807US_09	MICROSEMI	SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS	获取价格
1N5807US-AG	SENSITRON	Rectifier Diode, 1 Element, 6A, 50V V(RRM),	获取价格
1N5807V	SENSITRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,	获取价格
1N5807X	SENSITRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,	获取价格
1N5808	NJSEMI	HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP	获取价格
1N5808	MICROSEMI	ULTRA FAST RECTIFIERS	获取价格

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