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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.71 | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 125 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5808R | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N5808X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| 1N5809 | NJSEMI |
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HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| 1N5809 | SEMTECH |
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RECTIFIER, up to 150V, 6A, 30ns |
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| 1N5809 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| 1N5809 | EIC |
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ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
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| 1N5809 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL / MELF HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
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| 1N5809CB | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5809CBUS | MICROSEMI |
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SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5809D3A | SEME-LAB |
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ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
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