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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5807_10 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL / MELF HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
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| 1N5807_10 | MICROSEMI |
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VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5807CB | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5807CBUS | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5807S | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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| 1N5807U | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), |
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| 1N5807URS | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5807US | EIC |
获取价格 |
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
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| 1N5807US | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL / MELF HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
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| 1N5807US | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY- SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
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工作时间：9:00-21:00
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