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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.23 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 500 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 35 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5998 | NTE |
类似代替  |
NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp |
|
| JANTX1N3766 | MICROSEMI |
类似代替 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| S3480 | MICROSEMI |
类似代替 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3766R | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
|
| 1N3766R | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N3766R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3766RPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3767 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3767 | VISHAY |
获取价格 |
Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
|
| 1N3767 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3767 | INFINEON |
获取价格 |
35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
|
| 1N3767PBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N3767PBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
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