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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 35K |  |
| 描述 | ||
| 40A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 700 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 40 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大功率耗散： | 44 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向电流： | 500 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3766RPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N3767 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| 1N3767 | VISHAY |
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Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
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| 1N3767 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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| 1N3767 | INFINEON |
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35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
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| 1N3767PBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N3767PBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N3767R | ETC |
获取价格 |
Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
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| 1N3767RPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N3767RPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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