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JANTX1N3766

更新时间: 2024-11-04 23:08:35
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美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
Military Silicon Power Rectifier

JANTX1N3766 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.28应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203ABJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/297
最大重复峰值反向电压:800 V最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANTX1N3766 数据手册

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