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VS-30CTQ045STRRHM3

更新时间： 2024-09-18 15:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 236K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-30CTQ045STRRHM3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.61其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.76 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：265 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：2000 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30CTQ045STRRHM3 数据手册

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VS-30CTQ...SHM3, VS-30CTQ...-1HM3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
D2PAK  
TO-262  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
• AEC-Q101 qualified meets JESD-201 class 1A whisker  
test  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-30CTQ...SHM3  
VS-30CTQ...-1HM3  
DESCRIPTION  
PRODUCT SUMMARY  
The VS-30CTQ... center tap Schottky rectifier has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The proprietary barrier technology allows for  
reliable operation up to 175 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, converters,  
IF(AV)  
2 x 15 A  
35 V to 45 V  
VR  
VF at IF  
IRM  
0.56 V  
15 mA at 125 °C  
175 °C  
freewheeling diodes, and reverse battery protection.  
TJ max.  
EAS  
20 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35 to 45  
1060  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.56  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-30CTQ035SHM3  
VS-30CTQ040SHM3  
VS-30CTQ045SHM3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
VS-30CTQ035-1HM3 VS-30CTQ040-1HM3 VS-30CTQ045-1HM3  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
35  
40  
45  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 19-Nov-14  
Document Number: 95804  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30CTQ045STRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-30CTQ045STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-30CTQ050-1-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 50V V(RRM), Silicon, TO-262AA,
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 		暂无描述
VS-30CTQ050STRL-M3 VISHAY

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 		Very low forward voltage drop
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