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VS-30CTQ050-1-M3

更新时间： 2024-09-18 19:57:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 179K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 50V V(RRM), Silicon, TO-262AA,

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VS-30CTQ050-1-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.82 VJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：260 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：245最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：800 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30CTQ050-1-M3 数据手册

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VS-30CTQ0.0S-M3, VS-30CTQ0.0-1-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
D2PAK  
TO-262  
• 150 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
VS-30CTQ...S-M3  
VS-30CTQ...-1-M3  
DESCRIPTION  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for  
very low forward voltage drop, with moderate leakage. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 150 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
50 V, 60 V  
VR  
diodes, and reverse battery protection.  
VF at IF  
IRM  
0.56 V  
45 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
EAS  
13 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
50/60  
1000  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.56  
V
TJ  
-55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-30CTQ050S-M3  
VS-30CTQ050-1-M3  
VS-30CTQ060S-M3  
VS-30CTQ060-1-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
50  
60  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 26-Feb-14  
Document Number: 94934  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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与VS-30CTQ050-1-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30CTQ050-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-30CTQ050SPBF VISHAY

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 		暂无描述
VS-30CTQ050STRL-M3 VISHAY

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 		Very low forward voltage drop
VS-30CTQ050STRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 50V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
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