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VS-30CTQ060S-M3

更新时间： 2024-09-18 15:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 246K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 60V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-30CTQ060S-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：2.24其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.82 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：260 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：800 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

VS-30CTQ060S-M3 数据手册

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VS-30CTQ0.0S-M3, VS-30CTQ0.0-1-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
2
1
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
1
3
2
D2PAK (TO-263AB)  
3
TO-262AA  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
Base  
Base  
common  
cathode  
common  
cathode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
2
2
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
DESCRIPTION  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for  
very low forward voltage drop, with moderate leakage. The  
VS-30CTQ...S-M3  
VS-30CTQ...-1-M3  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 150 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 15 A  
50 V, 60 V  
0.56 V  
VR  
VF at IF  
IRM  
TJ max.  
45 mA at 125 °C  
150 °C  
EAS  
13 mJ  
Package  
D2PAK (TO-263AB), TO-262AA  
Circuit configuration  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
50/60  
tp = 5 μs sine  
1000  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.56  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-30CTQ050S-M3  
VS-30CTQ050-1-M3  
VS-30CTQ060S-M3  
VS-30CTQ060-1-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
50  
60  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 27-Oct-17  
Document Number: 94934  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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与VS-30CTQ060S-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30CTQ060STRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 60V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-30CTQ060STRLPBF VISHAY

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 		暂无描述
VS-30CTQ060STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 60V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-30CTQ060STRRPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-30CTQ080-1-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 80V V(RRM), Silicon, TO-262AA,
VS-30CTQ080-1PBF VISHAY

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 		Center tap configuration
VS-30CTQ080HN3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-30CTQ080-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-30CTQ080-N3 VISHAY

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 		High frequency operation
VS-30CTQ080PbF VISHAY

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 		High frequency operation

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