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VS-30CTQ100-1-M3 PDF预览

VS-30CTQ100-1-M3

更新时间： 2024-11-07 14:12:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 251K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA,

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VS-30CTQ100-1-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：2.26其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.05 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：275 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：550 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VS-30CTQ100-1-M3 数据手册

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VS-30CTQ...S-M3, VS-30CTQ...-1-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
2
1
1
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
3
2
encapsulation for enhanced mechanical strength and  
moisture resistance  
D2PAK (TO-263AB)  
3
TO-262AA  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
DESCRIPTION  
VS-30CTQ...S-M3  
VS-30CTQ...-1-M3  
This center tap Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 15 A  
80 V, 100 V  
0.67 V  
VR  
VF at IF  
reverse battery protection.  
IRM  
TJ max.  
7.0 mA at 125 °C  
175 °C  
EAS  
7.5 mJ  
Package  
D2PAK (TO-263AB), TO-262AA  
Circuit configuration  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
80/100  
850  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.67  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-30CTQ080S-M3  
VS-30CTQ080-1-M3  
VS-30CTQ100S-M3  
VS-30CTQ100-1-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
80  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 27-Oct-17  
Document Number: 94938  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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与VS-30CTQ100-1-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30CTQ100-1PBF VISHAY

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 		Center tap configuration
VS-30CTQ100GPBF VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-30CTQ100HN3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-30CTQ100-N3 VISHAY

获取价格

 		High frequency operation
VS-30CTQ100PBF VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-30CTQ100S-M3 VISHAY

获取价格

 		Low forward voltage drop
VS-30CTQ100SPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
VS-30CTQ100STRL-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-30CTQ100STRLPBF VISHAY

获取价格

 		Center tap configuration
VS-30CTQ100STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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