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VS-30CTQ100GPBF

更新时间： 2024-11-07 15:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 109K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-30CTQ100GPBF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.05 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：210 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：280 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

VS-30CTQ100GPBF 数据手册

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30CTQ...G  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
Base  
common  
cathode  
2
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
• High frequency operation  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Designed and qualified for industrial level  
Anode  
Anode  
2
TO-220AB  
Common  
1
3
cathode  
DESCRIPTION  
The center tap Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VR  
80/100 V  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
80/100  
650  
tp = 5 µs sine  
A
VF  
15 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.69  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
30CTQ080G  
30CTQ100G  
100  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
80  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per device  
per leg  
30  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 129 °C, rectangular waveform  
A
15  
Maximum peak one cycle non-repetitive  
surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
VRRM applied  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
650  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
210  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.50 A, L = 60 mH  
7.50  
0.50  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Document Number: 93308  
Revision: 22-Aug-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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VS-30CTQ100GPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-30CTQ100PBF VISHAY

功能相似

 DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30CTQ100HN3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 15 A
VS-30CTQ100-N3 VISHAY

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 		High frequency operation
VS-30CTQ100PBF VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-30CTQ100S-M3 VISHAY

获取价格

 		Low forward voltage drop
VS-30CTQ100SPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
VS-30CTQ100STRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
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