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VS-30EPH06-N3

更新时间： 2024-09-18 19:21:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 150K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-30EPH06-N3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.67
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.6 VJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：50 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-30EPH06-N3 数据手册

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VS-30EPH06PbF, VS-30EPH06-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Low leakage current  
2
2
• Single diode device  
3
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
1
Available  
1
3
TO-247AC modified  
Cathode  
Anode  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recovery time and soft recovery.  
The planar structure and the platinum doped life time  
control guarantee the best overall performance, ruggedness  
and reliability characteristics.  
These devices are intended for use in PFC boost stage in  
the AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
Package  
TO-247AC modified (2 pins)  
IF(AV)  
30 A  
600 V  
VR  
VF at IF  
1.34 V  
t
rr typ.  
See Recovery table  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
Single die  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
600  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperatures  
V
IF(AV)  
TC = 116 °C  
TJ = 25 °C  
30  
A
IFSM  
300  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 30 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.34  
0.3  
60  
2.6  
1.75  
50  
500  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
33  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
3.5  
-
Revision: 09-Jul-15  
Document Number: 94018  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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与VS-30EPH06-N3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30EPH06PBF VISHAY

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 		Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
VS-30EPU12LHN3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247L, 2 PIN
VS-30EPU12L-N3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247L, 2 PIN
VS-30ETH06-1-M3 VISHAY

获取价格

 		Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt?
VS-30ETH06-1PBF VISHAY

获取价格

 		Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®
VS-30ETH06-1TRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode,
VS-30ETH06-1TRRPBF VISHAY

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 		RECTIFIER DIODE
VS-30ETH06FP-N3 VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-30ETH06-M3 VISHAY

获取价格

 		Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt?
VS-30ETH06-N3 VISHAY

获取价格

 		Low forward voltage drop

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