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VS-30ETU12THN3

更新时间： 2024-12-02 14:53:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 160K
描述
Ultrafast Soft Recovery Diode, 30 A FRED Pt?

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VS-30ETU12THN3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：22 weeks
风险等级：5.59其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.68 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：240 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：145 µA最大反向恢复时间：0.22 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-30ETU12THN3 数据手册

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VS-30ETU12THN3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Ultrafast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
FEATURES  
Base cathode  
• Ultrafast and soft recovery  
• Optimized forward voltage drop  
• 175 °C maximum operating junction temperature  
• Polyimide passivation  
2
2
1
• Rugged design  
3
1
3
Anode  
Cathode  
• Good thermal performance  
TO-220AC 2L  
• AEC-Q101 qualified, meets JESD 201 class 2  
whisker test  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
30 A  
1200 V  
2.05 V  
49 ns  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
VR  
VF at IF at 125 °C  
trr  
Ultrafast recovery rectifiers designed with optimized  
performance of forward voltage drop, recovery time, and  
soft recovery. Polyimide passivated, planar structure, and  
the platinum doped life time control guarantee, ruggedness,  
reliability characteristics, and solid value proposition for  
efficiency and thermal performance.  
TJ max.  
175 °C  
Package  
TO-220AC 2L  
Single  
Circuit configuration  
These devices are intended for use in boost stage in the  
AC/DC section of SMPS, high frequency output rectification  
of battery charger, inverters for solar inverters, or as  
freewheeling diodes in motor drive.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
TC = 100 °C, D = 0.50  
TC = 25 °C, tp = 10 ms, sine wave  
VALUES  
1200  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Repetitive peak forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperature  
V
A
IF(AV)  
30  
IFRM  
60  
A
IFSM  
240  
A
TJ, TStg  
-55 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNITS  
VBR  
VR  
,
Breakdown voltage, blocking voltage  
IR = 500 μA  
1200  
-
-
V
IF = 30 A  
-
-
-
-
-
-
2.15  
2.05  
-
2.68  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
2.45  
145  
μA  
Reverse leakage current  
TJ = 125 °C, VR = VR rated  
VR = 200 V  
-
320  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
29  
8
-
-
pF  
nH  
Measured to lead 5 mm from package body  
Revision: 28-Feb-2023  
Document Number: 96071  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30L30CT-1PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN FREE
VS-30L30CT-1TRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN FREE
VS-30L30CT-N3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
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