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VS-30EPU12L-N3

更新时间： 2024-09-18 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
7页 146K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247L, 2 PIN

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VS-30EPU12L-N3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-247L, 2 PINReach Compliance Code：unknown
Factory Lead Time：22 weeks风险等级：5.56
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.68 VJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：145 µA
最大反向恢复时间：0.22 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30EPU12L-N3 数据手册

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VS-30EPU12L-N3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Ultrafast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
FEATURES  
Base cathode  
• Ultrafast and soft recovery  
• Optimized forward voltage drop  
• 175 °C maximum operating junction temperature  
• Polyimide passivation  
2
2
1
• Rugged design  
3
1
3
Anode  
Cathode  
• Good thermal performance  
TO-247L 2 pins  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
Package  
TO-247L 2 pins  
30 A  
Ultrafast recovery rectifiers designed with optimized  
performance of forward voltage drop, recovery time, and  
soft recovery. Polyimide passivated, planar structure, and  
the platinum doped life time control guarantee, ruggedness,  
reliability characteristics, and solid value proposition for  
efficiency and thermal performance.  
IF(AV)  
VR  
1200 V  
VF at IF at 125 °C  
trr  
2.05 V  
49 ns  
TJ max.  
175 °C  
These devices are intended for use in boost stage in the  
AC/DC section of SMPS, high frequency output rectification  
of battery charger, inverters for solar inverters, or as  
freewheeling diodes in motor drive.  
Diode variation  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
1200  
UNITS  
Repetitive peak reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Repetitive peak forward current  
Operating junction and storage temperature  
V
IF(AV)  
TC = 135 °C, D = 0.50  
TC = 25 °C, tp = 10 ms, sine wave  
30  
IFSM  
300  
A
IFRM  
60  
TJ, TStg  
-55 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNITS  
VBR  
VR  
,
Breakdown voltage, blocking voltage  
IR = 500 μA  
1200  
-
-
V
IF = 30 A  
-
-
-
-
-
-
2.15  
2.05  
-
2.68  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
2.45  
145  
μA  
Reverse leakage current  
TJ = 125 °C, VR = VR rated  
VR = 200 V  
-
320  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
29  
8
-
-
pF  
nH  
Measured to lead 5 mm from package body  
Revision: 05-Jul-16  
Document Number: 95927  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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