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VS-30ETH06-M3

更新时间： 2024-12-02 14:53:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 159K
描述
Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt?

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VS-30ETH06-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.56
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.6 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：50 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30ETH06-M3 数据手册

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VS-30ETH06-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Reduced Qrr and soft recovery  
• 175 °C TJ maximum  
Base  
cathode  
2
2
• For PFC CRM/CCM operation  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
1
1
3
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
Cathode  
Anode  
3
TO-220AC 2L  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recovery time and soft recovery.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
30 A  
600 V  
1.34 V  
23 ns  
VR  
The planar structure and the platinum doped life time  
control guarantee the best overall performance, ruggedness  
and reliability characteristics.  
VF at IF  
trr (typ.)  
TJ max.  
175 °C  
These devices are intended for use in PFC boost stage in the  
AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
Package  
TO-220AC 2L  
Single  
Circuit configuration  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
600  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperatures  
V
IF(AV)  
TC = 103 °C  
TJ = 25 °C  
30  
A
IFSM  
200  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 30 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.34  
0.3  
60  
2.6  
1.75  
50  
500  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
33  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 11-Jan-2022  
Document Number: 96182  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30ETH06-N3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
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 		Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®
VS-30ETH06STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
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VS-30ETU12THN3 VISHAY

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 		Ultrafast Soft Recovery Diode, 30 A FRED Pt?
VS-30L30CT-1PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 30V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN

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