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VS-30ETH06SPBF

更新时间： 2024-12-01 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速软恢复高电源软恢复二极管超快速软恢复二极管超快速软恢复高功率电源
页数 文件大小 规格书
9页 169K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

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VS-30ETH06SPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.75 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30ETH06SPBF 数据手册

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VS-30ETH06SPbF, VS-30ETH06-1PbF  
Vishay High Power Products  
Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®  
VS-30ETH06-1PbF  
FEATURES  
VS-30ETH06SPbF  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• 125 °C operating junction temperature  
Base  
cathode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
2
2
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
1
N/C  
3
1
N/C  
3
Anode  
Anode  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
D2PAK  
TO-262  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recovery time and soft recovery.  
The planar structure and the platinum doped life time  
control guarantee the best overall performance, ruggedness  
and reliability characteristics.  
These devices are intended for use in PFC boost stage in the  
ac-to-dc section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
PRODUCT SUMMARY  
trr (typical)  
28 ns  
30 A  
IF(AV)  
VR  
600 V  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperatures  
V
IF(AV)  
TC = 103 °C  
TJ = 25 °C  
30  
A
IFSM  
200  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 30 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.34  
0.3  
60  
2.6  
1.75  
50  
500  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 30 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
33  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Document Number: 94020  
Revision: 11-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VS-30ETH06SPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30ETH06STRLPBF VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 30 A FRED Pt®
VS-30ETH06STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
VS-30ETS12S2LHM3 VISHAY

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 		High Voltage Surface-Mount Input Rectifier Diode, 30 A
VS-30ETS12S2L-M3 VISHAY

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 		High Voltage Surface-Mount Input Rectifier Diode, 30 A
VS-30ETU12-M3 VISHAY

获取价格

 		Ultrafast Soft Recovery Diode, 30 A FRED Pt?
VS-30ETU12THN3 VISHAY

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 		Ultrafast Soft Recovery Diode, 30 A FRED Pt?
VS-30L30CT-1PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 30V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN
VS-30L30CT-1TRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN FREE
VS-30L30CT-1TRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN FREE
VS-30L30CT-N3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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