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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-30EPF10-M3
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VS-30EPF10-M3

更新时间： 2024-09-18 12:01:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 200K
描述
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 30 A

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VS-30EPF10-M3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.41 VJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：350 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.45 µs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

VS-30EPF10-M3 数据手册

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VS-30.PF1.PbF Series, VS-30.PF1.-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 30 A  
FEATURES  
• 150 °C max. operating junction temperature  
• Low forward voltage drop and short reverse  
recovery time  
• Designed and qualified according to  
JEDEC-JESD47  
TO-247AC modified  
TO-247AC  
Base  
common  
cathode  
2, 4  
Base  
common  
cathode  
2
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition (-M3 only)  
APPLICATIONS  
These devices are intended for use in output rectification  
and freewheeling in inverters, choppers and converters as  
well as in input rectification where severe restrictions on  
conducted EMI should be met.  
3
1
Anode  
1
Anode  
3
Anode  
Cathode  
VS-30EPF1...  
VS-30APF1...  
DESCRIPTION  
PRODUCT SUMMARY  
The VS-30EPF1... and VS-30APF1... soft recovery rectifier  
series has been optimized for combined short reverse  
recovery time and low forward voltage drop.  
Package  
TO-247AC, TO-247AC modified (2 pins)  
IF(AV)  
30 A  
1000 V, 1200 V  
1.41 V  
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
VR  
VF at IF  
IFSM  
350 A  
trr  
95 ns  
TJ max.  
Diode variation  
Snap factor  
150 °C  
Single die  
0.6  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
1000 to 1200  
350  
A
30 A, TJ = 25 °C  
1 A, 100 A/μs  
1.41  
V
trr  
95  
ns  
°C  
TJ  
- 40 to 150  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-30EPF10PbF, VS-30APF10PbF  
VS-30EPF10-M3, VS-30APF10-M3  
1000  
1200  
1100  
1300  
6
VS-30EPF12PbF, VS-30APF12PbF  
VS-30EPF12-M3, VS-30APF12-M3  
Revision: 20-Oct-11  
Document Number: 93705  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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