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VS-10TQ045STRLHM3

更新时间： 2024-11-26 19:49:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 192K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-10TQ045STRLHM3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.67 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：280 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：2000 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VS-10TQ045STRLHM3 数据手册

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VS-10TQ035SHM3, VS-10TQ045SHM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
cathode  
2
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
D2PAK  
3
1
N/C  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
• AEC-Q101 qualified meets JESD 201 class 1A whisker  
test  
IF(AV)  
10 A  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
35 V, 45 V  
0.49 V  
VF at IF  
IRM max.  
TJ max.  
EAS  
15 mA at 125 °C  
175 °C  
DESCRIPTION  
The VS-10TQ...SHM3 Schottky rectifier series has been  
optimized for low reverse leakage at high temperature. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 175 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
13 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK)  
Single die  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
1050  
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
0.49  
V
TJ  
-55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-10TQ035SHM3  
VS-10TQ045SHM3  
45  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 151 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
10  
A
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
1050  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 6.5 mH  
280  
13  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Revision: 06-Mar-14  
Document Number: 94962  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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与VS-10TQ045STRLHM3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10TQ045STRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10TQ045STRLPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 10 A
VS-10TQ045STRRHM3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10TQ045STRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10TQ045STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-10TQPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 10 A
VS-10TTS08-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
VS-10TTS08PBF VISHAY

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 		Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 10 A
VS-10TTS08S-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08SPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen

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