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VS-10TQ045STRRPBF

更新时间： 2024-11-26 14:38:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 271K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, D2PAK-3

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VS-10TQ045STRRPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.49 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：1050 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

VS-10TQ045STRRPBF 数据手册

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VS-10TQ035SPbF, VS-10TQ045SPbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
3
1
D2PAK  
• Guard ring for enhanced ruggedness and  
long term reliability  
N/C  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
• AEC-Q101 qualified  
Package  
D2PAK  
10 A  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
IF(AV)  
VR  
35 V, 40 V, 45 V  
0.57 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IRM  
The VS-10TQ...SPbF Schottky rectifier series has been  
optimized for low reverse leakage at high temperature. The  
proprietary barrier technology allows for reliable operation  
up to 175 °C junction temperature. Typical applications are  
in switching power supplies, converters, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
15 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
13 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
35/45  
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
1050  
A
VF  
0.49  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-10TQ035SPbF  
VS-10TQ045SPbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
35  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 151 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
10  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
1050  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 6.5 mH  
280  
13  
VRRM applied  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2
Revision: 21-May-14  
Document Number: 94121  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10TQPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 10 A
VS-10TTS08-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
VS-10TTS08PBF VISHAY

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 		Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 10 A
VS-10TTS08S-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08SPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
VS-10TTS08STRL-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08STRLPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
VS-10TTS08STRR-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08STRRPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
VS-10-TX-UK ETC

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 		VIDEO/AUDIO LINK TX

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