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VS-10WQ045FN-M3

更新时间： 2024-11-26 20:01:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 134K
描述
DIODE 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-10WQ045FN-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.96其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.53 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VS-10WQ045FN-M3 数据手册

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VS-10WQ045FN-M3  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
Base  
cathode  
4, 2  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
1
3
D-PAK (TO-252AA)  
Anode  
Anode  
• Popular D-PAK outline  
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
PRODUCT SUMMARY  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
10 A  
IF(AV)  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
VR  
45 V  
VF at IF  
IRM  
0.53 V  
DESCRIPTION  
The VS-10WQ045FN-M3 surface mount Schottky rectifier  
has been designed for applications requiring low forward  
drop and small foot prints on PC board. Typical applications  
are in disk drives, switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery  
protection.  
15 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
20 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
45  
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
400  
A
VF  
0.53  
V
TJ  
- 40 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-10WQ045FN-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 157 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
10  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
400  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 3 A, L = 4.4 mH  
75  
20  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
3.0  
Document Number: 93284  
Revision: 03-Nov-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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VS-10WQ045FN-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
10WQ045FNPBF VISHAY

完全替代

 Schottky Rectifier, 10 A
VS-10WQ045FNTRLPBF VISHAY

类似代替

 DIODE 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3
VS-10WQ045FNTRRPBF VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 10 A
VS-10WQ045FNTRRPBF VISHAY

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 		暂无描述
VS-10WT10FN VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 100V V(RRM),

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