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VS-10TTS08STRLPBF

更新时间： 2024-02-15 20:07:28
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 165K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3

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VS-10TTS08STRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.17标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：150 V/us
最大直流栅极触发电流：15 mA最大直流栅极触发电压：1.2 V
最大维持电流：30 mAJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大漏电流：1 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：140 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：6500 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大均方根通态电流：10 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

VS-10TTS08STRLPBF 数据手册

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VS-10TTS08SPbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Thyristor High Voltage Surface Mount Phase Control SCR, 10 A  
2, 4  
Anode  
FEATURES  
4
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
• Designed  
JEDEC®-JESD 47  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
and  
qualified  
according  
2
3
1
3
Gate  
Cathode  
1
TO-263AB (D2PAK)  
APPLICATIONS  
• Input rectification (soft start)  
PRODUCT SUMMARY  
• Vishay input diodes, switches and output rectifiers which  
are available in identical package outlines  
Package  
TO-263AB (D2PAK)  
Single SCR  
6.5 A  
Diode variation  
IT(AV)  
VDRM/VRRM  
VTM  
DESCRIPTION  
800 V  
The VS-10TTS08SPbF high voltage series of silicon  
controlled rectifiers are specifically designed for medium  
power switching and phase control applications. The glass  
passivation technology used has reliable operation up to  
125 °C junction temperature.  
< 1.15 V  
IGT  
15 mA  
TJ  
-40 to +125 °C  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
NEMA FR-4 or G-10 glass fabric-based epoxy  
with 4 oz. (140 μm) copper  
2.5  
3.5  
A
Aluminum IMS, RthCA = 15 °C/W  
6.3  
9.5  
Aluminum IMS with heatsink, RthCA = 5 °C/W  
14.0  
18.5  
Note  
TA = 55 °C, TJ = 125 °C, footprint 300 mm2  
•
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
6.5  
UNITS  
IT(AV)  
Sinusoidal waveform  
A
IRMS  
10  
VRRM/VDRM  
ITSM  
800  
V
A
110  
VT  
6.5 A, TJ = 25 °C  
1.15  
V
dV/dt  
dI/dt  
150  
V/μs  
A/μs  
°C  
100  
TJ  
Range  
-40 to +125  
VOLTAGE RATINGS  
PART NUMBER  
VRRM, MAXIMUM  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VDRM, MAXIMUM PEAK  
DIRECT VOLTAGE  
V
IRRM/IDRM  
AT 125 °C  
mA  
VS-10TTS08SPbF  
800  
800  
1.0  
Revision: 08-Jul-15  
Document Number: 94562  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-10TTS08STRRPBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen

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