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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> VS-10TTS08PBF
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VS-10TTS08PBF

更新时间： 2024-01-12 01:49:18
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 191K
描述
Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 10 A

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VS-10TTS08PBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.2Is Samacsys：N
标称电路换相断开时间：100 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：150 V/us最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.2 V最大维持电流：30 mA
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大漏电流：1 mA
湿度敏感等级：1通态非重复峰值电流：140 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：6500 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大均方根通态电流：10 A
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VS-10TTS08PBF 数据手册

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VS-10TTS08PbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 10 A  
FEATURES  
2
(A)  
• Designed  
and  
qualified  
according  
to  
JEDEC-JESD47  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
1 (K)  
(G) 3  
• Typical applications are in input rectification and crow-bar  
(soft start) and these products are designed to be used  
with Vishay HPP input diodes, switches and output  
rectifiers which are available in identical package outlines.  
TO-220AB  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
Diode variation  
IT(AV)  
TO-220AB  
Single SCR  
6.5 A  
DESCRIPTION  
The VS-10TTS08PbF high voltage series of silicon  
controlled rectifiers are specifically designed for medium  
power switching and phase control applications. The glass  
passivation technology used has reliable operation up to  
125 °C junction temperature.  
V
DRM/VRRM  
800 V  
VTM  
1.15 V  
IGT  
15 mA  
TJ  
- 40 °C to 125 °C  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C,  
common heatsink of 1 °C/W  
13.5  
17  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
IT(AV)  
Sinusoidal waveform  
6.5  
10  
A
IT(RMS)  
V
RRM/VDRM  
800  
V
A
ITSM  
VT  
140  
6.5 A, TJ = 25 °C  
Range  
1.15  
V
dV/dt  
dI/dt  
TJ  
150  
V/μs  
A/μs  
°C  
100  
- 40 to 125  
VOLTAGE RATINGS  
PART NUMBER  
VRRM, MAXIMUM  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VDRM, MAXIMUM PEAK  
DIRECT VOLTAGE  
V
IRRM/IDRM  
AT 125 °C  
mA  
VS-10TTS08PbF  
800  
800  
1.0  
Revision: 23-Aug-11  
Document Number: 94572  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-10TTS08PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
10TTS08PBF VISHAY

完全替代

 Phase Control SCR, 10 A

与VS-10TTS08PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10TTS08S-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08SPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
VS-10TTS08STRL-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
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VS-10UT10 VISHAY

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